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DMP2130L-7-F

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • DMP2130L-7-F
    DMP2130L-7-F

    DMP2130L-7-F

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 10000

  • DIODES

  • SOT23

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • DMP2130L-7-F
    DMP2130L-7-F

    DMP2130L-7-F

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 51000

  • Diodes

  • SOT-23

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • DMP2130L-7-F
    DMP2130L-7-F

    DMP2130L-7-F

  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人:林小姐//方先生

    电话:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处:北京海春路中发大厦60淀区知

  • 3000

  • DIODES

  • SOT-23

  • 2012+

  • -
  • 只做原装正品。

  • DMP2130L-7-F
    DMP2130L-7-F

    DMP2130L-7-F

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • DIODES

  • SOT23

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • DMP2130L-7-F
    DMP2130L-7-F

    DMP2130L-7-F

  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

    联系人:

    电话:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

  • 10000

  • -
  • 原厂原装现货,代找紧缺料

  • DMP2130L-7-F
    DMP2130L-7-F

    DMP2130L-7-F

  • 深圳市艾飞琪电子科技有限公司
    深圳市艾飞琪电子科技有限公司

    联系人:曹先生

    电话:0755-239499810755-23037082

    地址:深圳市福田区都会大厦B座29S

  • 45000

  • Diodes

  • SOT-23

  • 1305+

  • -
  • 原装现货库存

  • 1/1页 40条/页 共36条 
  • 1
DMP2130L-7-F PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
DMP2130L-7-F 技术参数
  • DMP2069UFY4-7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):9.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):214pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):530mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):54 毫欧 @ 2.5A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN2015H4-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 DMP2039UFDE-7 功能描述:MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):48.7nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2530pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):800mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):27 毫欧 @ 6.4A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:U-DFN2020-6(E 类) 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 DMP1555UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):12V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.84nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):55.4pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):800 毫欧 @ 200mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:X2-DFN0806-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 DMP-1.0 X 1.5 X 0.25 功能描述:RF Shield 2 Piece 1.500" (38.10mm) X 1.000" (25.40mm) Solid Solder and Snap On 制造商:fotofab 系列:- 包装:散装 零件状态:停产 类型:2 件 高度 - 总:0.250"(6.35 mm) 长度 - 总:1.000"(25.40mm) 宽度 - 总:1.500"(38.10mm) 通风:实心 安装类型:焊接式和卡入式 标准包装:1 DMP-1.0 X 1.0 X 0.25 功能描述:RF Shield 2 Piece 1.000" (25.40mm) X 1.000" (25.40mm) Solid Solder and Snap On 制造商:fotofab 系列:- 包装:散装 零件状态:停产 类型:2 件 高度 - 总:0.250"(6.35 mm) 长度 - 总:1.000"(25.40mm) 宽度 - 总:1.000"(25.40mm) 通风:实心 安装类型:焊接式和卡入式 标准包装:1 DMP21D0UFB-7 DMP21D0UFD-7 DMP21D0UT-7 DMP21D2UFA-7B DMP21D5UFB4-7B DMP21D5UFD-7 DMP21D6UFD-7 DMP2200UDW-13 DMP2200UDW-7 DMP2215L-7 DMP2225L-7 DMP2240UDM-7 DMP2240UW-7 DMP2240UWQ-7 DMP22D4UDA-7B DMP22D4UFA-7B DMP22D4UFO-7B DMP22D6UT-7
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