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DMP21D0UFB-7B

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • DMP21D0UFB-7B
    DMP21D0UFB-7B

    DMP21D0UFB-7B

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30

  • 69880

  • DIODES/美台

  • DFN1006

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • DMP21D0UFB-7B
    DMP21D0UFB-7B

    DMP21D0UFB-7B

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 8940

  • DIODES

  • DFN1006

  • 23+

  • -
  • 原厂原装正品现货

  • DMP21D0UFB-7B
    DMP21D0UFB-7B

    DMP21D0UFB-7B

  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人:唐先生

    电话:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质:营业执照

  • 72200

  • DIODES

  • DFN1006

  • 1125+

  • -
  • 原装现货/特价

  • DMP21D0UFB-7B
    DMP21D0UFB-7B

    DMP21D0UFB-7B

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • DIODES

  • DFN1006

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • DMP21D0UFB-7B
    DMP21D0UFB-7B

    DMP21D0UFB-7B

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 10000

  • DIODES INC.

  • 主营优势

  • 19+

  • -
  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • 1/1页 40条/页 共20条 
  • 1
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  • 制造商
  • DIODES
  • 制造商全称
  • Diodes Incorporated
  • 功能描述
  • 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP21D0UFB-7B 技术参数
  • DMP2069UFY4-7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):9.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):214pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):530mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):54 毫欧 @ 2.5A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DFN2015H4-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 DMP2039UFDE-7 功能描述:MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):48.7nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2530pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):800mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):27 毫欧 @ 6.4A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:U-DFN2020-6(E 类) 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘 标准包装:1 DMP1555UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):12V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.84nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):55.4pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):800 毫欧 @ 200mA,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:X2-DFN0806-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 DMP-1.0 X 1.5 X 0.25 功能描述:RF Shield 2 Piece 1.500" (38.10mm) X 1.000" (25.40mm) Solid Solder and Snap On 制造商:fotofab 系列:- 包装:散装 零件状态:停产 类型:2 件 高度 - 总:0.250"(6.35 mm) 长度 - 总:1.000"(25.40mm) 宽度 - 总:1.500"(38.10mm) 通风:实心 安装类型:焊接式和卡入式 标准包装:1 DMP-1.0 X 1.0 X 0.25 功能描述:RF Shield 2 Piece 1.000" (25.40mm) X 1.000" (25.40mm) Solid Solder and Snap On 制造商:fotofab 系列:- 包装:散装 零件状态:停产 类型:2 件 高度 - 总:0.250"(6.35 mm) 长度 - 总:1.000"(25.40mm) 宽度 - 总:1.000"(25.40mm) 通风:实心 安装类型:焊接式和卡入式 标准包装:1 DMP2225L-7 DMP2240UDM-7 DMP2240UW-7 DMP2240UWQ-7 DMP22D4UDA-7B DMP22D4UFA-7B DMP22D4UFO-7B DMP22D6UT-7 DMP22M2UPS-13 DMP2305U-7 DMP2305UVT-7 DMP2540UCB9-7 DMP25H18DLFDE-13 DMP25H18DLFDE-7 DMP26M7UFG-13 DMP26M7UFG-7 DMP3007SCG-13 DMP3007SCG-7
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