您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > D字母型号搜索 >

DN2SJ527STR

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • DN2SJ527STR
    DN2SJ527STR

    DN2SJ527STR

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 10000

  • RENESAS

  • TO263-3

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • DN2SJ527STR
    DN2SJ527STR

    DN2SJ527STR

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • NULL

  • NULL

  • 07/08+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • DN2SJ527STR
    DN2SJ527STR

    DN2SJ527STR

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8378920313332987005

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 36200

  • RENESAS

  • TO263-3

  • 18+

  • -
  • 原装正品,欢迎订购

  • DN2SJ527STR
    DN2SJ527STR

    DN2SJ527STR

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 36200

  • RENESAS

  • TO263-3

  • 18+

  • -
  • 原装正品,欢迎订购

  • DN2SJ527STR
    DN2SJ527STR

    DN2SJ527STR

  • 深圳市博盛源科技有限公司
    深圳市博盛源科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-23984783

    地址:华强广场C座22K

    资质:营业执照

  • 46700

  • RENESAS/瑞萨

  • TO263-3

  • 21+

  • -
  • 一级代理现货库存,配单专家竭诚为您服务

  • 1/1页 40条/页 共11条 
  • 1
DN2SJ527STR PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
DN2SJ527STR 技术参数
  • DN1058-471K 功能描述:470μH Unshielded Wirewound Inductor 420mA 1.48 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN1058,Coev 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:470μH 容差:±10% 额定电流:420mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):1.48 欧姆最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.370" 宽(10.40mm x 9.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.228"(5.80mm) 标准包装:800 DN1058-470K 功能描述:47μH Unshielded Wirewound Inductor 1.28A 170 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN1058,Coev 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:47μH 容差:±10% 额定电流:1.28A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):170 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:2.52MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.370" 宽(10.40mm x 9.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.228"(5.80mm) 标准包装:800 DN1058-101K 功能描述:100μH Unshielded Wirewound Inductor 970mA 350 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN1058,Coev 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:100μH 容差:±10% 额定电流:970mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):350 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.370" 宽(10.40mm x 9.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.228"(5.80mm) 标准包装:800 DN1058-100M 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 2.6A 60 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN1058,Coev 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:2.6A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):60 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:2.52MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.370" 宽(10.40mm x 9.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.228"(5.80mm) 标准包装:800 DN1047-471K 功能描述:470μH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 1.53 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN1047,Coev 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:470μH 容差:±10% 额定电流:350mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):1.53 欧姆最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.406" 长 x 0.366" 宽(10.30mm x 9.30mm) 高度 - 安装(最大值):0.185"(4.70mm) 标准包装:1,000 DN3545N3-G DN3545N8-G DN3687GFPV DN3694GFPV DN3765K4-G DN4835-102K DN4835-120K DN4835-120M DN4835-150K DN4835-150M DN4835-180K DN4835-180M DN4835-1R0M DN4835-1R4M DN4835-1R8M DN4835-220K DN4835-220M DN4835-270K
配单专家

在采购DN2SJ527STR进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买DN2SJ527STR产品风险,建议您在购买DN2SJ527STR相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的DN2SJ527STR信息由会员自行提供,DN2SJ527STR内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号