DS1145-100M-B

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制造商
TE Connectivity
功能描述

DS1145-100M-B 技术参数

DS1145-100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 1.5A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1145，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:1.5A 电流 - 饱和值:1.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:100 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.421" 长 x 0.323" 宽（10.70mm x 8.20mm）高度 - 安装（最大值）:0.177"（4.50mm）标准包装:1 DS1137-470M 功能描述:47μH Shielded Inductor 550mA 580 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1137，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:47μH 容差:±20% 额定电流:550mA 电流 - 饱和值:550mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:580 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.421" 长 x 0.323" 宽（10.70mm x 8.20mm）高度 - 安装（最大值）:0.146"（3.70mm）标准包装:1 DS1137-100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 1.2A 165 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1137，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:1.2A 电流 - 饱和值:1.2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:165 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.421" 长 x 0.323" 宽（10.70mm x 8.20mm）高度 - 安装（最大值）:0.146"（3.70mm）标准包装:1 DS1135Z-8+T&R 功能描述:延迟线/计时元素 3-In-1 High-Speed Silicon Delay Line RoHS:否制造商:Micrel 功能:Active Programmable Delay Line 传播延迟时间:1000 ps 工作温度范围: 封装 / 箱体:QFN-24 封装:Tube DS1135Z-8+ 功能描述:延迟线/计时元素 3-In-1 High-Speed Silicon Delay Line RoHS:否制造商:Micrel 功能:Active Programmable Delay Line 传播延迟时间:1000 ps 工作温度范围: 封装 / 箱体:QFN-24 封装:Tube DS1145-390M DS1145-3R9M DS1145-470M DS1145-560M DS1145-5R6M DS1145-680M DS1145-820M DS1145-8R2M DS116 DS1-175-0001 DS1-175-0002 DS1-175-0003 DS1-175-0004 DS1-175-0005 DS1181LE+ DS1181LE+T DS1190N+ DS1190N+T