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EC5462A

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  • EC5462A-G
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  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址: 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质:营业执照

  • 10000

  • SITI

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  • 原装正品,假一罚十

  • EC5462A-G
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  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人:李燕兵

    电话:82525918

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质:营业执照

  • 6000

  • E-CMOS

  • MSOP-8

  • 22+

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  • 全新原装现货供应

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3600

  • E-CMOS精英

  • MSOP8

  • 13+

  • -
  • 原装正品,现货库存

  • EC5462A-G
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  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人:唐先生

    电话:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质:营业执照

  • 5617

  • E-CMOS

  • MSOP-8

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  • 原装现货/特价

  • EC5462AR-G
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  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

    地址:深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 7600

  • E-CMOS

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  • 22+

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  • EC5462A-G
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

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  • 深圳市一线半导体有限公司
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  • 深圳市博盛源科技有限公司
    深圳市博盛源科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-23984783

    地址:华强广场C座22K

    资质:营业执照

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EC5462A 技术参数
  • EC52/24/14-3C94 功能描述:FERRITE CORE 制造商:ferroxcube 系列:- 零件状态:在售 内核类型:EC 容差:- 间隙:- 材料:3C94 表面:无涂层 供应商器件封装:EC 52 x 24 x 14 高度:24.20mm 长度:52.20mm 宽度:13.40mm 直径:- 标准包装:200 EC4943-000 功能描述:11320000 制造商:te connectivity amp connectors 系列:K 零件状态:有效 配件类型:载体,线缆和导线标记器 配套使用产品/相关产品:K-Type? 线缆标记 材料:PVC 特性:7 字符长 标准包装:500 EC4942-000 功能描述:11310000 制造商:te connectivity amp connectors 系列:K 零件状态:有效 配件类型:载体,线缆和导线标记器 配套使用产品/相关产品:K-Type? 线缆标记 材料:PVC 特性:12 字符长 标准包装:500 EC4407KF-TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.3A ESCP1208-4F 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):224 毫欧 @ 600mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):100pF @ 10V 功率 - 最大值:400mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-XFDFN 供应商器件封装:0503(1308 公制) 标准包装:1 EC4406C-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.9 欧姆 @ 100mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):26pF @ 20V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-UFDFN 供应商器件封装:4-ECSP1008 标准包装:1 EC5472-000 EC5473-000 EC5475-000 EC5476-000 EC5483-000 EC5487-000 EC5488-000 EC5489-000 EC5490-000 EC5491-000 EC5492-000 EC5493-000 EC5494-000 EC5495-000 EC5496-000 EC5497-000 EC5498-000 EC5499-000
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