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ECH-U1184GCV

配单专家企业名单
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  • ECH-U1184GCV
    ECH-U1184GCV

    ECH-U1184GCV

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Panasonic Electronic Comp

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装

  • ECH-U1184GCV
    ECH-U1184GCV

    ECH-U1184GCV

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 只做原装正品 欢迎洽谈 电话010-62...

  • ECH-U1184GCV
    ECH-U1184GCV

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 8285

  • PANASONIC

  • 剪切带(CT

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • ECH-U1184GCV
    ECH-U1184GCV

    ECH-U1184GCV

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:史仙雁

    电话:19129911934(手机优先微信同号)0755-82813018

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 2900

  • Panasonic

  • ROHS

  • 1315+

  • -
  • 全新原装正品 欢迎来电0755-8286...

  • ECH-U1184GCV
    ECH-U1184GCV

    ECH-U1184GCV

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 2850

  • Panasonic

  • ROHS

  • 201333

  • -
  • 原装正品,现货库存,400-800-03...

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ECH-U1184GCV PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 薄膜电容器 .18uF 100V 2% PPS FILM 2825
  • RoHS
  • 制造商
  • Cornell Dubilier
  • 产品类型
  • 电介质
  • Polyester
  • 电容
  • 0.047 uF
  • 容差
  • 10 %
  • 电压额定值
  • 100 V
  • 系列
  • 225P
  • 工作温度范围
  • - 55 C to + 85 C
  • 端接类型
  • Radial
  • 引线间隔
  • 9.5 mm
ECH-U1184GCV 技术参数
  • ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):24V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):17 毫欧 @ 4.5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):38 毫欧 @ 3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):24V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14 毫欧 @ 5A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A,1.5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):260 毫欧 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH8619-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A,2A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):93 毫欧 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):560pF @ 20V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-ECH 标准包装:1 ECH-U1393GC9 ECH-U1393JC9 ECH-U1473GC9 ECH-U1473JC9 ECH-U1563GC9 ECH-U1563JC9 ECH-U1683GC9 ECH-U1683JC9 ECH-U1823GC9 ECH-U1823JC9 ECH-U1C101GX5 ECH-U1C101JX5 ECH-U1C102GX5 ECH-U1C102JX5 ECH-U1C103GX5 ECH-U1C103JB5 ECH-U1C103JX5 ECH-U1C104GX5
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