EPC8008ENGR

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

EPC8008ENGR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
50
EPC
托盘
1521+
-
全新原装现货

EPC8008ENGR
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
8865
EPC
13+
-
绝对公司原装现货

EPC8008ENGR
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
EPC
模具
17+
-
全新原装现货

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制造商
Efficient Power Conversion
功能描述
TRAN GAN 40V 2.7A BUMPED DIE

EPC8008ENGR 技术参数

EPC8007ENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 500mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.3nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:39pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC8005ENGR 功能描述:TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:65V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.9A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:275 毫欧 @ 500mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.22nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:29pF @ 32.5V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC8004ENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:过期 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:125 毫欧 @ 500mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.36nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC8004 功能描述:TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 500mA、5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.45nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:52pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC8003ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:300 毫欧 @ 500mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.32nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:38pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC9001C EPC9002 EPC9002C EPC9003 EPC9003C EPC9004 EPC9004C EPC9005 EPC9005C EPC9006 EPC9006C EPC9010 EPC9010C EPC9013 EPC9014 EPC9016 EPC9017 EPC9018