EPC8QC100T_代理商_批发/采购【买卖IC网】EPC8QC100T

配单专家企业名单

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供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

EPC8QC100T
现货
深圳市芯品会科技有限公司
深圳市芯品会科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-8326552818898587338
地址：深圳市福田区华强路宝华大厦A座2028
资质：营业执照
600
ALTERA
QFP-100
1213+
-
★★原盒原装原标签，现货库存商★★

EPC8QC100T
现货
深圳市芯品会科技有限公司
深圳市芯品会科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-8326552818898587338
地址：深圳市福田区华强路宝华大厦A座2028
资质：营业执照
600
ALTERA
QFP-100
1213+
-
★★原盒原装原标签，现货库存商★★

EPC8QC100T
优势
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：86-755-8450174913760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
385
ALTERA
QFP
假一赔十！
-
原装自己现货！假一赔十！！

EPC8QC100T
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ALTERA
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

EPC8QC100T
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5
ALTERA
QFP-100
01+
-
全新原装现货

EPC8QC100T
聚芯优品（深圳）控股集团有限公司
聚芯优品（深圳）控股集团有限公司
联系人：邓生
电话：1330244183018823807848
地址：深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD双子塔.西塔3903B
资质：营业执照
701
ALTERA
BGA
21+
-
现货分销自有库存正品保障假一罚十

EPC8QC100T
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
69200
ALTERA
QFP
18+
-
全新原装，优势库存

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EPC8QC100T 技术参数

EPC8QC100N 功能描述:FPGA-配置存储器 IC - Ser. Config Mem Flash 8Mb 50 MHz RoHS:否制造商:Altera Corporation 存储类型:Flash 存储容量:1.6 Mbit 工作频率:10 MHz 电源电压-最大:5.25 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:50 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PLCC-20 EPC8QC100 功能描述:FPGA-配置存储器 IC - Ser. Config Mem Flash 8Mb 50 MHz RoHS:否制造商:Altera Corporation 存储类型:Flash 存储容量:1.6 Mbit 工作频率:10 MHz 电源电压-最大:5.25 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:50 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PLCC-20 EPC8010ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 500mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.48nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:55pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:- 供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC8010 功能描述:TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 500mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.48nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:55pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC8009ENGR 功能描述:TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:过期 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:65V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:138 毫欧 @ 500mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.38nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:47pF @ 32.5V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC9004C EPC9005 EPC9005C EPC9006 EPC9006C EPC9010 EPC9010C EPC9013 EPC9014 EPC9016 EPC9017 EPC9018 EPC9019 EPC9022 EPC9023 EPC9024 EPC9025 EPC9027