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ESMD3215

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ESMD3215 技术参数
  • ESM6045DV 功能描述:TRANS NPN DARL 450V 84A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):84A 电压 - 集射极击穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.35V @ 4A,70A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 70A,5V 功率 - 最大值:250W 频率 - 跃迁:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 ESM6045AV 功能描述:TRANS NPN DARL 450V 72A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):72A 电压 - 集射极击穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.3V @ 2.4A,60A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):150 @ 60A,5V 功率 - 最大值:250W 频率 - 跃迁:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 ESM5045DV 功能描述:TRANS NPN DARL 450V 60A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):60A 电压 - 集射极击穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.4V @ 2.8A,50A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):150 @ 50A,5V 功率 - 最大值:175W 频率 - 跃迁:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 ESM4045DV 功能描述:TRANS NPN DARL 450V 42A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):42A 电压 - 集射极击穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.4V @ 2A,35A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):220 @ 35A,5V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:100 ESM3030DV 功能描述:TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100A 电压 - 集射极击穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 2.4A,85A 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):300 @ 85A,5V 功率 - 最大值:225W 频率 - 跃迁:- 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:10 ESMG100ELL223MP40S ESMG100ELL330ME11D ESMG100ELL331MF11D ESMG100ELL332MK20S ESMG100ELL333MQ40S ESMG100ELL470ME11D ESMG100ELL471MF11D ESMG100ELL472MK25S ESMG100ELL682ML25S ESMG100ETC101ME11D ESMG100ETD470ME11D ESMG101ELL100MF11D ESMG101ELL101MJ20S ESMG101ELL102MM40S ESMG101ELL102MN35S ESMG101ELL122MM40S ESMG101ELL122MP40S ESMG101ELL182MQ40S
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