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F1C510BTP

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  • F1C510BTP
    F1C510BTP

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  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 42000

  • ORIGIN

  • F1

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  • F1C510BTP
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

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  • F1

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  • F1C510BTP
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  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

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    电话:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

  • 10000

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  • F1C510BTP
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  • 深圳市艾飞琪电子科技有限公司
    深圳市艾飞琪电子科技有限公司

    联系人:曹先生

    电话:0755-239499810755-23037082

    地址:深圳市福田区都会大厦B座29S

  • 86000

  • ORIGIN

  • F1SMA

  • 1305+

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F1C510BTP 技术参数
  • F-198U 功能描述:POWER XFMR CHASSIS MOUNT W/LEADS 制造商:triad magnetics 系列:- 零件状态:有效 类型:叠片核心 电压 - 初级:115V 电压 - 次级(满负载):15.5V,32V 电流 - 输出(最大值):6A,1A 初级绕组:单一 次级绕组:双 中心抽头:是 功率 - 最大值:122 VA 安装类型:底座安装 端子类型:导线引线 大小/尺寸:80.95mm 长 x 79.38mm 宽 高度 - 安装(最大值):95.25mm 电压 - 隔离:1500Vrms 标准包装:8 F1978NCGK 功能描述:DIGITAL STEP ATTENUATOR 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:* 零件状态:在售 封装/外壳:20-WFQFN 裸露焊盘 标准包装:490 F1977NBGI 功能描述:RF Attenuator 31.75dB ±0.1dB 5MHz ~ 3GHz 75 Ohm 32-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效 衰减值:31.75dB 容差:±0.1dB 频率范围:5MHz ~ 3GHz 功率(W):- 阻抗:75 欧姆 封装/外壳:32-WFQFN 裸露焊盘 标准包装:490 F1977EVS 功能描述:EVALUATION SOLUTION FOR F1977 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效 类型:衰减器 频率:- 配套使用产品/相关产品:F1977 所含物品:板 标准包装:1 F1977EVBI 功能描述:EVAL BOARD FOR F1977 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效 类型:衰减器 频率:- 配套使用产品/相关产品:F1977 所含物品:板 标准包装:1 F1RBXO-6408-10F F1RBXO-6408-10S F1RBXO-9608-10F F1RBXO-9608-10S F1RBZN-1B08-10F F1RBZN-1B08-10S F1RBZN-6408-10F F1RBZN-6408-10S F1RBZN-9608-10F F1RBZN-9608-10S F1RBZO-1B08-10F F1RBZO-1B08-10S F1RBZO-6408-10F F1RBZO-6408-10S F1RBZO-9608-10F F1RBZO-9608-10S F1RCXN-6408-10F F1RCXN-6408-10S
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