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F1E50VX3

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  • F1E50VX3
    F1E50VX3

    F1E50VX3

  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人：李燕兵

    电话：82525918

    地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质：营业执照

  • 6000

  • SHINDEN

  • TO252

  • 22+

  • -

  • 全新原装现货供应

  • F1E50VX3
    F1E50VX3

    F1E50VX3

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • SOT-263

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET Mosfet
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
F1E50VX3 技术参数
  • F-198U 功能描述:POWER XFMR CHASSIS MOUNT W/LEADS 制造商:triad magnetics 系列:- 零件状态:有效 类型:叠片核心 电压 - 初级:115V 电压 - 次级（满负载）:15.5V，32V 电流 - 输出（最大值）:6A，1A 初级绕组:单一 次级绕组:双 中心抽头:是 功率 - 最大值:122 VA 安装类型:底座安装 端子类型:导线引线 大小/尺寸:80.95mm 长 x 79.38mm 宽 高度 - 安装（最大值）:95.25mm 电压 - 隔离:1500Vrms 标准包装:8 F1978NCGK 功能描述:DIGITAL STEP ATTENUATOR 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:* 零件状态:在售 封装/外壳:20-WFQFN 裸露焊盘 标准包装:490 F1977NBGI 功能描述:RF Attenuator 31.75dB ±0.1dB 5MHz ~ 3GHz 75 Ohm 32-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效 衰减值:31.75dB 容差:±0.1dB 频率范围:5MHz ~ 3GHz 功率（W）:- 阻抗:75 欧姆 封装/外壳:32-WFQFN 裸露焊盘 标准包装:490 F1977EVS 功能描述:EVALUATION SOLUTION FOR F1977 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效 类型:衰减器 频率:- 配套使用产品/相关产品:F1977 所含物品:板 标准包装:1 F1977EVBI 功能描述:EVAL BOARD FOR F1977 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件状态:有效 类型:衰减器 频率:- 配套使用产品/相关产品:F1977 所含物品:板 标准包装:1 F1RBXO-6408-10F F1RBXO-6408-10S F1RBXO-9608-10F F1RBXO-9608-10S F1RBZN-1B08-10F F1RBZN-1B08-10S F1RBZN-6408-10F F1RBZN-6408-10S F1RBZN-9608-10F F1RBZN-9608-10S F1RBZO-1B08-10F F1RBZO-1B08-10S F1RBZO-6408-10F F1RBZO-6408-10S F1RBZO-9608-10F F1RBZO-9608-10S F1RCXN-6408-10F F1RCXN-6408-10S
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