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FDP050AN06A0_NL
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
原厂原装
18+
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原装现货，优势供应

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FDP050AN06A0_NL 技术参数

FDN340P 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH -20V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDMS2380 功能描述:MOSFET Dual Integ Solenoid RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDMF8705 功能描述:功率驱动器IC MLP 8X8 DRIVER PLUS FET MULTI-CHIP MODU RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDMF8704V 功能描述:功率驱动器IC Driver plus FET w/5v reg RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDMF8704 功能描述:功率驱动器IC Driver plus FET Multi-chip Module RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDP083N15A_F102 FDP083N15A-F102 FDP085N10A FDP085N10A_F102 FDP085N10A-F102 FDP090N10 FDP-1000 FDP100N10 FDP10AN06A0 FDP10N60NZ FDP120AN15A0 FDP120N10 FDP12N50 FDP12N50NZ FDP12N60NZ FDP13AN06A0 FDP14AN06LA0 FDP-1500