FDP13N50F

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说明
操作

FDP13N50F
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
14000
isc,iscsemi
TO-220
2024+
-
国产品牌，可替代原装

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制造商
FAIRCHILD
制造商全称
Fairchild Semiconductor
功能描述
N-Channel MOSFET 500V, 12A, 0.54ヘ

FDP13N50F 技术参数

FDP-1000 功能描述:PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1M 制造商:panasonic industrial automation sales 系列:FX-300 零件状态:有效配件类型:保护管配套使用产品/相关产品:FX-300 系列标准包装:1 FDN340P 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH -20V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDMS2380 功能描述:MOSFET Dual Integ Solenoid RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube FDMF8705 功能描述:功率驱动器IC MLP 8X8 DRIVER PLUS FET MULTI-CHIP MODU RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDMF8704V 功能描述:功率驱动器IC Driver plus FET w/5v reg RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube FDP16AN08A0 FDP16N50 FDP18N20F FDP18N50 FDP19N40 FDP20AN06A0 FDP20N50 FDP20N50F FDP22N50N FDP24AN06LA0 FDP24N40 FDP2532 FDP2552 FDP2570 FDP2572 FDP2614 FDP2670 FDP26N40