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  • FP50R12KS4C
  • 9800
  • Infineon Technologies
  • 12+
  • EconoPIM3-24
1
FP50R12KS4C
参数信息:

功能描述:IGBT 晶体管 1200V 50A PIM

RoHS:

制造商:Fairchild Semiconductor

配置:

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:2.3 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:150 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

功率耗散:187 W

最大工作温度:

封装 / 箱体:TO-247

封装:Tube

FP50R12KS4C技术参数

FP50R12KS4CV2 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:IGBT Module FP50R12KT3 功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: FP50R12KT4 功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: FP50R12KT4_B11 功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: FP50R12KT4G 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 50A 1200V FP50R12KT4G_B15 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 50A 1200V FP50R12KT4GB15BOSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: FP50R12KT4GBOSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: FP50S 制造商:VMI 制造商全称:VMI 功能描述:2,500 V - 10,000 V Rectifier Stacks 2.2 A Forward Current 3000 ns Recovery Time FP-510 制造商:SIRENZA 制造商全称:SIRENZA 功能描述:Wideband RF/Pulse Transformer 1-1000 MHz