GB10S-MIX

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GB10S-MIX 技术参数

GB10SLT12-252 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:250μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:520pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 GB10SLT12-247D 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.9V @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1200V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 GB10SLT12-220 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:碳化硅肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA（Io）反向恢复时间（trr）:0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:40μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:520pF @ 1V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:50 GB10SLT12-214 功能描述:SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 制造商:genesic semiconductor 系列:* 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應基本零件编号:GB10SLT12 标准包装:1 GB100XCP12-227 功能描述:IGBT 1200V 100A SOT-227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:- 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:8.55nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 GB1205PKV1-8AY.GN GB1205PKV2-8AY.GN GB1205PKV3-8AY GB1205PKV3-8AY.GN GB1206AHV1-A.V1.B2170.GN GB1206PHV1-AY.GN GB1206PHV2-AY.GN GB1206PHV3-AY.GN GB1206PTV2-AY.13.Z.X.GN GB1235PDV3-8.Z.X.GN GB12417 GB1245PKV1-8AY.11.Z.X.GN GB15AH GB15AH-XA GB15AH-XB GB15AH-XC GB15AP GB15AP-XA