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GL1084AX

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GL1084AX 技术参数
  • GL100MN1MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):- 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,无引线 标准包装:1 GL100MN1MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):- 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:通用 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,无引线 标准包装:1 GL100MN0MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):- 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD,无引线 标准包装:1 GL100MN0MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):- 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:通用 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,无引线 标准包装:1 GL05-HT3-GS08 功能描述:TVS DIODE 5VWM 11VC LLP753B 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):5V 电压 - 击穿(最小值):6V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:11V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):17A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:300W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:5pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-WDFN 供应商器件封装:LLP75-3B 标准包装:1 GL111F35CDT GL111F35CET GL111F35IDT GL111F35IET GL120F23CDT GL120F23CET GL120F23IDT GL120F23IET GL120F33CDT GL120F33CET GL120F33IDT GL120F33IET GL120F35CDT GL120F35CET GL120F35IDT GL120F35IET GL122E5J GL122E9J
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