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GL41J/1

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  • 功能描述
  • 整流器 1 Amp 600 Volt 30 Amp IFSM
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 产品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向电压
  • 100 V
  • 正向电压下降
  • 恢复时间
  • 1.2 us
  • 正向连续电流
  • 2 A
  • 最大浪涌电流
  • 35 A
  • 反向电流 IR
  • 5 uA
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-221AC
  • 封装
  • Reel
GL41J/1 技术参数
  • GL4100E0000F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.2V 50mA 180° Radial 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):- 波长:950nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:180° 朝向:侧视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 标准包装:50 GL4100 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.2V 50mA 180° Radial 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包装:- 零件状态:过期 类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):- 波长:950nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:180° 朝向:侧视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 标准包装:50 GL2R0KA7B250 功能描述:2μH Unshielded Wirewound Inductor 250mA 1.45 Ohm Nonstandard 制造商:avx corporation 系列:GL 包装:散装 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:2μH 容差:±10% 额定电流:250mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):1.45 欧姆 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.102"?长 x 0.065" 方椎体(2.59mm x 1.65mm) 高度 - 安装(最大值):- 标准包装:1 GL2L5MS450D-C 功能描述:4.5ns ±0.100nS Inductor Delay Line 100mA 50 Ohm 16-SOIC (0.239", 6.06mm Width) 制造商:susumu 系列:GL2L 包装:散装 零件状态:过期 延迟时间:4.5ns 容差:±0.100nS 电流:100mA DC 电阻(DCR):1 欧姆最大 阻抗:50 欧姆 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-SOIC(0.239",6.06mm 宽) 标准包装:100 GL2L5MS400D-C 功能描述:4.0ns ±0.100nS Inductor Delay Line 100mA 50 Ohm 16-SOIC (0.239", 6.06mm Width) 制造商:susumu 系列:GL2L 包装:散装 零件状态:过期 延迟时间:4.0ns 容差:±0.100nS 电流:100mA DC 电阻(DCR):1 欧姆最大 阻抗:50 欧姆 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-SOIC(0.239",6.06mm 宽) 标准包装:100 GL41M-E3/96 GL41M-E3/97 GL41MHE3/96 GL41MHE3/97 GL41T-E3/1 GL41T-E3/96 GL41T-E3/97 GL41THE3/96 GL41THE3/97 GL41Y/1 GL41Y-E3/96 GL41Y-E3/97 GL41YHE3/96 GL41YHE3/97 GL453E00000F GL480 GL4800 GL4800E0000F
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