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HAT2198R
参数信息:

功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOP

RoHS:

类别:分离式半导体产品 >> FET - 单

系列:-

标准包装:1,000

系列:MESH OVERLAY™

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V

Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V

功率 - 最大:40W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3 整包

供应商设备封装:TO-220FP

包装:管件

HAT2198R技术参数

HAT2198R-EL-E 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOP HAT2198WP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET - Tape and Reel HAT2199R 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP - Tape and Reel HAT2199R-EL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 HAT2200R 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 8A 8SOP - Tape and Reel HAT2200R-EL-E 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching HAT2200WP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin WPAK 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 20A - Tape and Reel HAT2200WP_10 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching HAT2200WP-EL-E 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching HAT2201R 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 6A 8SOP - Tape and Reel HAT2244WP-EL-E HAT2261H-EL-E HAT2266H-EL-E HAT2267H-EL-E HAT2279H-EL-E HAT2287WP-EL-E HAT2299WP-EL-E HAU100KBACF0KR HAU101KBACF0KR HAU101KBACFGKR HAU150KBAUARKR HAU151KBACF0KR HAU151KBACFGKR HAU220KBACD0KR HAU220KBACF0KR HAU221KBACF0KR HAU270KBACF0KR HAU330KBACF0KR