HERAF1006GC0

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HERAF1006GC0 技术参数

HER303-T 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1,200 HER102-T 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5,000 HEP-600C-48 功能描述:O/P +57.6V10.5A 制造商:mean well usa inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 HEP-600C-24 功能描述:O/P +28.8V21A 制造商:mean well usa inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 HEP-600C-12 功能描述:O/P +14.4V35A 制造商:mean well usa inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 HERAF802G C0G HERAF803G C0G HERAF804G C0G HERAF805G C0G HERAF806G C0G HERAF807G C0G HERAF808G C0G HERF1001G C0G HERF1002G C0G HERF1003G C0G HERF1004G C0G HERF1005G C0G HERF1006G C0G HERF1007G C0G HERF1007GA C0G HERF1008G C0G HERF1008GA C0G HERF1601G C0G