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  • HFA3128R
  • 12000
  • INTERSIL
  • 15+
  • 16-QFN-EP(3x3)
  • HFA3128RZ
  • 2215
  • Intersil
  • 符合RoHS
  • 原厂封装
1
HFA3128R
参数信息:

功能描述:IC TRANS ARRAY 5X PND 16QFN

RoHS:

类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT)

系列:-

产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010

标准包装:1

系列:-

晶体管类型:NPN

电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V

频率 - 转换:47GHz

噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz

增益:9dB ~ 31dB

功率 - 最大:160mW

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V

电流 - 集电极 (Ic)(最大):45mA

安装类型:表面贴装

封装/外壳:4-SMD,扁平引线

供应商设备封装:4-TSFP

包装:Digi-Reel®

其它名称:BFP 740FESD E6327DKR

HFA3128R技术参数

HFA3128R96 功能描述:IC TRANS ARRAY 5X PND 16QFN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR HFA3128RZ 功能描述:射频双极小信号晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X PNP 16LD 3X3 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel HFA3128RZ96 功能描述:射频双极小信号晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X PNP 16LD 3X3 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel HFA3134 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:Ultra High Frequency Matched Pair Transistors HFA3134_05 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:Ultra High Frequency Matched Pair Transistors HFA3134IH96 功能描述:IC TRANSISTOR UHF SOT-23-6 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR HFA3134IHZ96 功能描述:射频双极小信号晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X NPN MATCHED INDE RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel HFA3135 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:Ultra High Frequency Matched Pair Transistors HFA3135IH96 功能描述:IC TRANS ARRAY PNP MATCH SOT23-6 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极 (Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR HFA3135IHZ96 功能描述:射频双极小信号晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X PNP MATCHED INDEL RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel