HIP4082IBZTR5676_代理商_批发/采购【买卖IC网】HIP4082IBZTR5676

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HIP4082IBZTR5676
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：欧阳先生
电话：13714291754
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
2400
Renesas
16-SOIC
22+
-

HIP4082IBZTR5676
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
369
Intersil
16-SO
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

HIP4082IBZTR5676
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室
资质：营业执照
5000
Intersil
标准封装
16+
-
假一罚十

HIP4082IBZTR5676
万三科技（深圳）有限公司
万三科技（深圳）有限公司
联系人：王俊杰
电话：188185984650755-23763516
地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C
6500000
Renesas Electronics Ameri
原厂原装
22+
-
万三科技秉承原装实单可议

HIP4082IBZTR5676
万三科技（深圳）有限公司
万三科技（深圳）有限公司
联系人：张国龙
电话：177226252410755-21008751
地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C
6500000
Renesas Electronics Ameri
原厂原装
22+
-
万三科技秉承原装实单可议

HIP4082IBZTR5676
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Renesas
22+
-
原装正品

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HIP4082IBZTR5676 技术参数

HIP4082IBZT 功能描述:功率驱动器IC TAPE & VER OF STDARD HIP4082IB RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube HIP4082IBZ 功能描述:功率驱动器IC 80V H BRDG FET DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube HIP4082IBT 功能描述:功率驱动器IC TAPE & VER OF STDARD HIP4082IB RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube HIP4082IB 功能描述:功率驱动器IC 80V H BRDG FET DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube HIP4081AIPZ 功能描述:功率驱动器IC 80 VDC HI FREQ H-BRDG DRVR W/STA RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube HIP4086AABZ HIP4086AABZT HIP4086AB HIP4086ABT HIP4086ABZ HIP4086ABZT HIP4086AP HIP4086APZ HIP4086DEMO1Z HIP4086EVAL HIP6004BCB HIP6004BCB-T HIP6004BCBZ HIP6004BCBZA HIP6004BCBZA-T HIP6004BCBZ-T HIP6004BCR HIP6004BCR-T