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HIP6603BCBZT

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HIP6603BCBZT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2510
INTERSIL
ROHS
201234+
-
原装正品现货库存！400-800-030...

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HIP6603BCBZT 技术参数

HIP6603BCBZ 功能描述:功率驱动器IC SYNCHCT BUCK MSFT DRVR FLEXIBLE G RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube HIP6603BCB-T 功能描述:IC DRIVER MOSFET SYNC BUCK 8SOIC RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 HIP6603BCB 功能描述:IC DRIVER MOSFET SYNC BUCK 8SOIC RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 HIP6602BCRZ-T 功能描述:功率驱动器IC DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube HIP6602BCRZA-T 功能描述:功率驱动器IC W/ANL DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube HIP9011AB HIP9011ABT HIP9011ABZ HIP9011ABZT HIP9011EVAL1Z HIR11-21C/L11/TR8 HIR16-213C/L423/TR8 HIR19-21C/L11/TR8 HIR204 HIR204/H0 HIR204C HIR204C/H0 HIR234C HIR30-01C/S16 HIR323C HIR323C/H0 HIR333/H0 HIR333C/H0