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HM66AQB18202BP-50

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
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  • HM66AQB18202BP-50
    HM66AQB18202BP-50

    HM66AQB18202BP-50

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:谭玉丽

    电话:19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 10001

  • Renesas Electronics Ameri

  • 165-LBGA

  • 12+

  • -
  • 授权分销 现货热卖

  • HM66AQB18202BP-50
    HM66AQB18202BP-50

    HM66AQB18202BP-50

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Renesas Electronics Ameri

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十

  • HM66AQB18202BP-50
    HM66AQB18202BP-50

    HM66AQB18202BP-50

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • RENESAS

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理,原装正品现货!

  • HM66AQB18202BP-50
    HM66AQB18202BP-50

    HM66AQB18202BP-50

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:陈康

    电话:18998911681

    地址:深圳市福田区华强北振兴路上步工业区405栋601-602

    资质:营业执照

  • 4655

  • Renesas

  • FBGA

  • 2014+

  • -
  • 进口原装,假一罚十

  • 1/1页 40条/页 共14条 
  • 1
HM66AQB18202BP-50 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • IC SRAM 36MBIT 200MHZ 165FBGA
  • RoHS
  • 类别
  • 集成电路 (IC) >> 存储器
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • -
  • 格式 - 存储器
  • RAM
  • 存储器类型
  • 移动 SDRAM
  • 存储容量
  • 256M(8Mx32)
  • 速度
  • 133MHz
  • 接口
  • 并联
  • 电源电压
  • 1.7 V ~ 1.95 V
  • 工作温度
  • -40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳
  • 90-VFBGA
  • 供应商设备封装
  • 90-VFBGA(8x13)
  • 包装
  • 带卷 (TR)
  • 其它名称
  • 557-1327-2
HM66AQB18202BP-50 技术参数
  • HM66-80470LFTR13 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 128 mOhm Max Nonstandard 制造商:tt electronics/bi magnetics 系列:HM66 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:47μH 容差:±20% 额定电流:2.1A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):128 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.402" 长 x 0.394" 宽(10.20mm x 10.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.157"(4.00mm) 标准包装:1 HM66-70180LFTR13 功能描述:18μH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 92 mOhm Max Nonstandard 制造商:tt electronics/bi magnetics 系列:HM66 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:18μH 容差:±20% 额定电流:1.5A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):92 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:10kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.264" 长 x 0.264" 宽(6.70mm x 6.70mm) 高度 - 安装(最大值):0.157"(4.00mm) 标准包装:1 HM66-60120LFTR13 功能描述:12μH Shielded Wirewound Inductor 1.55A 70 mOhm Max Nonstandard 制造商:tt electronics/bi magnetics 系列:HM66 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:12μH 容差:±20% 额定电流:1.55A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):70 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:10kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.264" 长 x 0.264" 宽(6.70mm x 6.70mm) 高度 - 安装(最大值):0.118"(3.00mm) 标准包装:1 HM66-50680LFTR13 功能描述:68μH Shielded Wirewound Inductor 520mA 355 mOhm Max Nonstandard 制造商:tt electronics/bi magnetics 系列:HM66 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:68μH 容差:±20% 额定电流:520mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):355 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:10kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.224" 长 x 0.224" 宽(5.70mm x 5.70mm) 高度 - 安装(最大值):0.118"(3.00mm) 标准包装:1 HM66-50100LFTR13 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 65 mOhm Max Nonstandard 制造商:tt electronics/bi magnetics 系列:HM66 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:- 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:1.3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):65 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:10kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.224" 长 x 0.224" 宽(5.70mm x 5.70mm) 高度 - 安装(最大值):0.118"(3.00mm) 标准包装:1 HM67-B222LFTR13 HM67-B471LFTR13 HM67-B472LFTR13 HM67-B510LFTR13 HM67-B5R0LFTR13 HM67-S250LFTR13 HM67-S510LFTR13 HM6902NL HM6902NLT HM69-10R025LFTR13 HM69-20R050LFTR13 HM69-30R070LFTR13 HM69-40R10LFTR13 HM69-50R10LFTR13 HM69-50R15LFTR13 HM69-55R10LFTR13 HM69-55R20LFTR13 HM69-60R10LFTR13
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