HMC327MS8G_09

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制造商
HITTITE
制造商全称
Hittite Microwave Corporation
功能描述
GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER, 3 - 4 GHz

HMC327MS8G_09 技术参数

HMC326MS8GETR 功能描述:IC HBT DVR AMP 3.5GHZ 8-MSOP 制造商:analog devices inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 HMC326MS8GE 功能描述:RF Amplifier IC General Purpose 3GHz ~ 4.5GHz 8-MSOPG 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带零件状态:有效频率:3GHz ~ 4.5GHz P1dB:23.5dBm 增益:21dB 噪声系数:5dB RF 类型:通用电压 - 电源:5V 电流 - 电源:130mA 测试频率:- 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸焊盘供应商器件封装:8-MSOPG 标准包装:1 HMC326MS8G 功能描述:IC HBT DVR AMP 3.5GHZ 8-MSOP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带零件状态:在售频率:3GHz ~ 4.5GHz P1dB:23.5dBm 增益:21dB 噪声系数:5dB RF 类型:通用电压 - 电源:5V 电流 - 电源:130mA 测试频率:- 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘供应商器件封装:8-MSOPG 标准包装:1 HMC322-SX 功能描述:RF Switch IC VSAT SP8T 10GHz 50 Ohm Die 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:生命周期结束频率?- 下:0Hz 频率?- 上:10GHz 隔离 @ 频率:32dB @ 6GHz（标准）插损 @ 频率:2.1dB @ 6GHz IIP3:38dBm（标准）拓扑:吸收性电路:SP8T P1dB:23dBm（标准） IP1dB 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:- RF 类型:VSAT 封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:2 HMC322LP4E 功能描述:RF Switch IC General Purpose SP8T 8GHz 50 Ohm, 75 Ohm 24-QFN (4x4) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带零件状态:生命周期结束频率?- 下:DC 频率?- 上:8GHz 隔离 @ 频率:25dB @ 8GHz（标准）插损 @ 频率:2.5dB @ 8GHz IIP3:40dBm（标准）拓扑:吸收性电路:SP8T P1dB:23dBm（标准） IP1dB 特性:- 阻抗:50 欧姆，75 欧姆工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:- RF 类型:通用封装/外壳:24-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:24-QFN（4x4）标准包装:1 HMC331 HMC333 HMC333E HMC333ETR HMC333TR HMC334LP4 HMC334LP4E HMC334LP4ETR HMC334LP4TR HMC335G16 HMC336MS8G HMC336MS8GE HMC336MS8GETR HMC336MS8GTR HMC337 HMC337-SX HMC338 HMC338LC3B