HMC348LP3 HITTITE

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HMC348LP3 HITTITE 技术参数

HMC347-SX 功能描述:RF Switch IC VSAT SPDT 20GHz 50 Ohm Die 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:生命周期结束频率?- 下:0Hz 频率?- 上:20GHz 隔离 @ 频率:45dB @ 20GHz（标准）插损 @ 频率:1.7dB @ 20GHz IIP3:43dBm（标准）拓扑:吸收性电路:SPDT P1dB:23dBm（标准） IP1dB 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-55°C ~ 85°C 电压 - 电源:- RF 类型:VSAT 封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:2 HMC347LP3ETR 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 14GHz 50 Ohm 16-QFN (3x3) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:生命周期结束频率?- 下:DC 频率?- 上:14GHz 隔离 @ 频率:38dB @ 14GHz（标准）插损 @ 频率:1.9dB @ 14GHz IIP3:43dBm（标准）拓扑:吸收性电路:SPDT P1dB:23dBm（标准） IP1dB 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-55°C ~ 85°C 电压 - 电源:- RF 类型:通用封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:16-QFN（3x3）标准包装:1 HMC347LP3E 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 14GHz 50 Ohm 16-QFN (3x3) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带零件状态:生命周期结束频率?- 下:DC 频率?- 上:14GHz 隔离 @ 频率:38dB @ 14GHz（标准）插损 @ 频率:1.9dB @ 14GHz IIP3:43dBm（标准）拓扑:吸收性电路:SPDT P1dB:23dBm（标准） IP1dB 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-55°C ~ 85°C 电压 - 电源:- RF 类型:通用封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:16-QFN（3x3）标准包装:1 HMC347C8TR 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 8GHz 50 Ohm 8-CSMD 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:生命周期结束频率?- 下:DC 频率?- 上:8GHz 隔离 @ 频率:40dB @ 6GHz（标准）插损 @ 频率:2dB @ 6 GHz IIP3:43dBm（标准）拓扑:- 电路:SPDT P1dB:23dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:5V RF 类型:通用封装/外壳:8-CSOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘供应商器件封装:8-CSMD 标准包装:1 HMC347C8 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 8GHz 50 Ohm 8-CSMD 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带零件状态:生命周期结束频率?- 下:DC 频率?- 上:8GHz 隔离 @ 频率:40dB @ 6GHz（标准）插损 @ 频率:2dB @ 6 GHz IIP3:43dBm（标准）拓扑:- 电路:SPDT P1dB:23dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:5V RF 类型:通用封装/外壳:8-CSOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘供应商器件封装:8-CSMD 标准包装:1 HMC351S8 HMC351S8E HMC351S8ETR HMC351S8TR HMC356LP3 HMC356LP3E HMC356LP3ETR HMC356LP3TR HMC3587LP3BE HMC3587LP3BETR HMC358MS8GE HMC358MS8GETR HMC35DRAH HMC35DRAH-S734 HMC35DRAI HMC35DRAI-S734 HMC35DRAN HMC35DRAN-S734