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HMC536MS8GE+IC

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HMC536MS8GE+IC 技术参数
  • HMC536MS8GE 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 6GHz 50 Ohm 8-MSG 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 频率?- 下:DC 频率?- 上:6GHz 隔离 @ 频率:32dB @ 6GHz(标准) 插损 @ 频率:0.7dB @ 6GHz IIP3:48dBm(标准) 拓扑:反射 电路:SPDT P1dB:- 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:- RF 类型:通用 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸焊盘 供应商器件封装:8-MSG 标准包装:1 HMC536LP2ETR 功能描述:RF Switch IC Cellular SPDT 6GHz 50 Ohm 6-DFN (2x2) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 频率?- 下:0Hz 频率?- 上:6GHz 隔离 @ 频率:29dB @ 6GHz(标准) 插损 @ 频率:1dB @ 6GHz IIP3:52dBm(标准) 拓扑:- 电路:SPDT P1dB:33dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:5V RF 类型:手机 封装/外壳:6-TDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN(2x2) 标准包装:1 HMC536LP2E 功能描述:RF Switch IC WiMAX / WiBro SPDT 6GHz 50 Ohm 6-DFN (2x2) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 频率?- 下:DC 频率?- 上:6GHz 隔离 @ 频率:29dB @ 6GHz(标准) 插损 @ 频率:1dB @ 6GHz IIP3:49dBm(标准) 拓扑:反射 电路:SPDT P1dB:- 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:- RF 类型:WiMAX / WiBro 封装/外壳:6-TDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN(2x2) 标准包装:1 HMC535LP4E 制造商:Hittite Microwave Corp 功能描述:IC MMIC PHASE LOCK OSC 24-QFN HMC534LP5ETR 功能描述:RF IC VCO General Purpose 10.6GHz ~ 11.8GHz Triple Outputs (Divide by 2, Divide by 4, Standard) 32-QFN (5x5) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 功能:VCO 频率:10.6GHz ~ 11.8GHz RF 类型:通用 辅助属性:三路输出(除以 2,除以 4,标准) 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:32-QFN(5x5) 标准包装:1 HMC539LP3E HMC539LP3ETR HMC539LP3TR HMC540LP3ETR HMC540SLP3E HMC540SLP3ETR HMC541LP3E HMC541LP3ETR HMC542ALP4E HMC542BLP4E HMC542BLP4ETR HMC543ALC4B HMC543ALC4BTR HMC543LC4B HMC543-SX HMC5445LS6 HMC5445LS6TR HMC544A
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