HMC6204LP6CETR

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HMC6204LP6CETR 技术参数

HMC618LP3E 功能描述:RF Amplifier IC General Purpose 1.2GHz ~ 2.2GHz 16-QFN (3x3) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期频率:1.2GHz ~ 2.2GHz P1dB:20dBm 增益:19dB 噪声系数:0.75dB RF 类型:通用电压 - 电源:3V，5V 电流 - 电源:89mA 测试频率:- 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:16-QFN（3x3）标准包装:1 HMC618ALP3ETR 功能描述:RF Amplifier IC LTE, WiMax 1.2GHz ~ 2.2GHz 16-SMT (3x3) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效频率:1.2GHz ~ 2.2GHz P1dB:20dBm 增益:23dB 噪声系数:0.75dB RF 类型:LTE，WiMax 电压 - 电源:3 V ~ 5 V 电流 - 电源:89mA 测试频率:1.7GHz ~ 2GHz 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:16-SMT（3x3）标准包装:1 HMC618ALP3E 功能描述:RF Amplifier IC LTE, WiMax 1.2GHz ~ 2.2GHz 16-SMT (3x3) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带零件状态:有效频率:1.2GHz ~ 2.2GHz P1dB:20dBm 增益:23dB 噪声系数:0.85dB RF 类型:LTE，WiMax 电压 - 电源:3 V ~ 5 V 电流 - 电源:118mA 测试频率:2.2GHz 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:16-SMT（3x3）标准包装:1 HMC617LP3ETR 功能描述:RF Amplifier IC General Purpose 550MHz ~ 1.2GHz 16-QFN (3x3) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:生命周期结束频率:550MHz ~ 1.2GHz P1dB:21dBm 增益:16dB 噪声系数:0.5dB RF 类型:通用电压 - 电源:3V，5V 电流 - 电源:88mA 测试频率:- 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:16-QFN（3x3）标准包装:1 HMC617LP3E 功能描述:RF Amplifier IC General Purpose 550MHz ~ 1.2GHz 16-QFN (3x3) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带零件状态:生命周期结束频率:550MHz ~ 1.2GHz P1dB:21dBm 增益:16dB 噪声系数:0.5dB RF 类型:通用电压 - 电源:3V，5V 电流 - 电源:88mA 测试频率:- 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:16-QFN（3x3）标准包装:1 HMC624ALP4ETR HMC624LFLP4E HMC624LP4E HMC625ALP5E HMC625ALP5ETR HMC625BLP5E HMC625HFLP5E HMC625HFLP5ETR HMC625LP5E HMC626ALP5E HMC626ALP5ETR HMC626LP5E HMC627ALP5E HMC627ALP5ETR HMC627LP5E HMC628LP4E HMC628LP4ETR HMC629ALP4E