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HMC647LP6_08

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  • 制造商
  • HITTITE
  • 制造商全称
  • Hittite Microwave Corporation
  • 功能描述
  • GaAs MMIC 6-BIT DIGITAL PHASE SHIFTER, 2.5 - 3.1 GHz
HMC647LP6_08 技术参数
  • HMC647ALP6E 功能描述:RF IC Phase Shifter Radar 2.5GHz ~ 3.1GHz 28-QFN (6x6) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 功能:相移 频率:2.5GHz ~ 3.1GHz RF 类型:雷达 辅助属性:- 封装/外壳:28-VQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:28-QFN(6x6) 标准包装:1 HMC646LP2ETR 功能描述:RF Switch IC Cellular, TD-SCDMA SPDT 2.1GHz 50 Ohm 6-DFN (2x2) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 频率?- 下:100MHz 频率?- 上:2.1GHz 隔离 @ 频率:32dB @ 2.025GHz(标准) 插损 @ 频率:1.3dB @ 2.025GHz IIP3:34dBm(标准) 拓扑:反射 电路:SPDT P1dB:- 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:3 V ~ 8 V RF 类型:手机,TD-SCDMA 封装/外壳:6-TDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN(2x2) 标准包装:1 HMC646LP2E 功能描述:RF Switch IC Cellular, TD-SCDMA SPDT 2.1GHz 50 Ohm 6-DFN (2x2) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 频率?- 下:100MHz 频率?- 上:2.1GHz 隔离 @ 频率:32dB @ 2.025GHz(标准) 插损 @ 频率:1.3dB @ 2.025GHz IIP3:34dBm(标准) 拓扑:反射 电路:SPDT P1dB:- 特性:- 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:3 V ~ 8 V RF 类型:手机,TD-SCDMA 封装/外壳:6-TDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:6-DFN(2x2) 标准包装:1 HMC644-SX 功能描述:RF IC Phase Shifter Radar 15GHz ~ 18.5GHz Die 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 功能:相移 频率:15GHz ~ 18.5GHz RF 类型:雷达 辅助属性:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:2 HMC644LC5 功能描述:RF IC Phase Shifter Radar 15GHz ~ 18.5GHz 32-QFN (5x5) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带 零件状态:过期 功能:相移 频率:15GHz ~ 18.5GHz RF 类型:雷达 辅助属性:- 封装/外壳:32-TFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:32-QFN(5x5) 标准包装:10 HMC6505LC5 HMC6505LC5TR HMC6505LC5TR-R5 HMC650-SX HMC651 HMC651-SX HMC652 HMC652LP2E HMC652LP2ETR HMC652-SX HMC653 HMC653LP2E HMC653LP2ETR HMC653-SX HMC654 HMC6545LP5E HMC6545LP5ETR HMC654LP2E
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