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HTOP01DIE

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HTOP01DIE
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖先生
电话：13612973190
地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室
9000
Honeywell Aerospace
模具
22+
-
原厂渠道，现货配单

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HTOP01DIE 技术参数

HTOP01DC 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述: HTNFET-T 功能描述:MOSFET N-CH 55V 4-PIN 制造商:honeywell microelectronics & precision sensors 系列:HTMOS?? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.3nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:290pF @ 28V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 225°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP 供应商器件封装:4-电源接片标准包装:1 HTNFET-D 功能描述:MOSFET N-CH 55V 8-DIP 制造商:honeywell microelectronics & precision sensors 系列:HTMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.3nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:290pF @ 28V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 225°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:8-CDIP 裸露焊盘供应商器件封装:8-CDIP-EP 标准包装:1 HTN1.00TB65 功能描述:HALAR SLEEVING 1" BLACK 65' 制造商:techflex 系列:Flexo? Halar? 零件状态:有效类型:可扩展套管直径:1.000"（25.40mm）直径 - 最大值:1.625"（41.30mm）长度:65'（19.81m）材料:乙烯-三氟氯乙烯共聚物特性:Plenum 等级，自熄灭颜色:黑，白标准包装:1 HTN0.75TB75 功能描述:HALAR SLEEVING 3/4" BLACK 75' 制造商:techflex 系列:Flexo? Halar? 零件状态:有效类型:可扩展套管直径:0.750"（19.05mm）直径 - 最大值:1.250"（31.75mm）长度:75'（22.86m）材料:乙烯-三氟氯乙烯共聚物特性:Plenum 等级，自熄灭颜色:黑，白标准包装:1 HTPOWERBAR10 HTPT66-103K HTPT66-104K HTPT66-122K HTPT66-152K HTPT66-153K HTPT66-223K HTPT66-391K HTPT66-393K HTPT66-472K HTPT66-683K HTPT66R-103K HTPT66R-104K HTPT66R-122K HTPT66R-152K HTPT66R-153K HTPT66R-223K HTPT66R-391K