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IPD088N06N技术参数

IPD088N06N3 G 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube IPD088N06N3G 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: IPD088N06N3GBTMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 IPD088N06N3GXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 IPD090N03L 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?3 Power-Transistor Features Fast switching MOSFET for SMPS IPD090N03L G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube IPD090N03LG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 40A OptiMOS3 TO252 IPD090N03LG_10 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS3 Power-Transistor IPD090N03LGATMA1 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube IPD090N03LGBTMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel