IR2152SC

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IR2152SC
深圳市华芯盛世科技有限公司
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电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
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IR2152SC 技术参数

IR2152S 制造商:未知厂家制造商全称:未知厂家功能描述:Half Bridge Driver. LO Out of Phase with RT. Programmable Oscillating Frequency. 1.2us Deadtime in a 8-lead SOIC package IR2152 功能描述:IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8-DIP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 IR2151STR 功能描述:IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 IR2151SPBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 100mA 1.2us RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR2151S 功能描述:IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 IR21531STRPBF IR2153D IR2153DPBF IR2153PBF IR2153S IR2153STR IR2153STRPBF IR2154 IR2154S IR2155 IR2155PBF IR2156 IR2156PBF IR2156S IR2156SPBF IR2156STR IR2156STRPBF IR21571