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IR342C

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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IR342C 技术参数
  • IR3411STRPBF 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR3411SPBF 功能描述:功率驱动器IC 30V 8A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR333C/H0/L10 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 100mA 11mW/sr @ 20mA 40° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):11mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:40° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 标准包装:500 IR333C 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 100mA 7.8mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):7.8mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 标准包装:500 IR333-A 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 100mA 7.8mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):7.8mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 标准包装:500 IR3476MTRPBF IR3477MTR1PBF IR3477MTRPBF IR3500AMTRPBF IR3500MTRPBF IR3500VMTRPBF IR3502AMTRPBF IR3502BMTRPBF IR3502MTRPBF IR3503MTRPBF IR3504MTRPBF IR3505MTRPBF IR3505ZMTRPBF IR3506MTRPBF IR3507MTRPBF IR3507ZMTRPBF IR3508MTRPBF IR3508ZMTRPBF
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