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IRF540,127

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • IRF540,127
    IRF540,127

    IRF540,127

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • TO-220AB

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • IRF540,127
    IRF540,127

    IRF540,127

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:胡泽君

    电话:18998911795

    地址:深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602

    资质:营业执照

  • 1000

  • NXP USA Inc.

  • 原厂封装

  • 20+

  • -
  • IRF540,127
    IRF540,127

    IRF540,127

  • 深圳市华诺星科技有限公司
    深圳市华诺星科技有限公司

    联系人:廖小姐

    电话:18998919871

    地址:深圳市福田区振兴路上步工业区405栋6楼601-602

  • 1000

  • NXP USA Inc.

  • 带卷(TR)

  • 20+

  • -
  • 原装正品,专注原装正品十五年

  • 1/1页 40条/页 共9条 
  • 1
IRF540,127 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET RAIL IR
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
IRF540,127 技术参数
  • IRF540 功能描述:MOSFET N-CH 100V 22A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):77 毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):41nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):870pF @ 25V 功率 - 最大值:85W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF530N,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):110 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):633pF @ 25V 功率 - 最大值:79W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF530 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):458pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF520 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):270 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):460pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IR-EK2 功能描述:INFRARED GAS SENSOR EVAL KIT 制造商:sgx sensortech 系列:- 零件状态:在售 传感器类型:气体 感应范围:- 接口:USB 灵敏度:- 电压 - 电源:8.1 V ~ 9.9 V 嵌入式:- 所含物品:板,电缆,电源,配件 使用的 IC/零件:- 标准包装:25 IRF540PBF IRF540S IRF540SPBF IRF540STRL IRF540STRLPBF IRF540STRR IRF540STRRPBF IRF540Z IRF540ZL IRF540ZLPBF IRF540ZPBF IRF540ZS IRF540ZSPBF IRF540ZSTRL IRF540ZSTRLPBF IRF540ZSTRR IRF540ZSTRRPBF IRF5800
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