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IRG4BC30UDPBF
参数信息:

功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz

RoHS:

制造商:Fairchild Semiconductor

配置:

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:2.3 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:150 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

功率耗散:187 W

最大工作温度:

封装 / 箱体:TO-247

封装:Tube

IRG4BC30UDPBF技术参数

IRG4BC30UD-S 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 23.000A COPAK D2PAK / IGBT : JA / D IRG4BC30UPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube IRG4BC30US 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. = 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A) IRG4BC30U-S 功能描述:IGBT UFAST 600V 23A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 IRG4BC30U-SPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube IRG4BC30U-STRL 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 23.000A D2PAK / IGBT : JA / DISCRET IRG4BC30U-STRRP 功能描述:IGBT 模块 600V 23AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: IRG4BC30W 功能描述:IGBT WARP 600V 23A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 IRG4BC30W_04 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A) IRG4BC30WPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube