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IRG4RC10KDTRPBF

配单专家企业名单
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  • IRG4RC10KDTRPBF
    IRG4RC10KDTRPBF

    IRG4RC10KDTRPBF

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • IR

  • 原厂封装

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • IRG4RC10KDTRPBF
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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室

    资质:营业执照

  • 400

  • INFINEON

  • NA

  • 23+

  • -
  • 现货!就到京北通宇商城

  • IRG4RC10KDTRPBF
    IRG4RC10KDTRPBF

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:中国上海

  • 400

  • INFINEON

  • NA

  • 23+

  • -
  • 查现货!就到京北通宇商城

  • IRG4RC10KDTRPBF
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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Infineon Technologies

  • D-Pak

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • IRG4RC10KDTRPBF
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  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • D-Pak

  • 19+

  • -
  • 代理直销!进口原装正品!

  • IRG4RC10KDTRPBF
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  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 400

  • INFINEON

  • con

  • 23+

  • -
  • 现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

  • IRG4RC10KDTRPBF
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 9730

  • INFINEON

  • DIGI-REEL?

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • IRG4RC10KDTRPBF
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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部

    联系人:江先生

    电话:0755-236033608325800283223169

    地址:深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813

    资质:营业执照

  • 50000

  • IR

  • TO-252

  • 14+

  • -
  • 公司现货库存,全新原装正品。假一罚十,可...

  • IRG4RC10KDTRPBF.
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  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

    地址:深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 7600

  • IR

  • TO-252

  • 22+

  • -
  • 公司原装现货,可订货,有单来谈QQ:16...

  • IRG4RC10KDTRPBF
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  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 9688

  • TI

  • NA

  • 19+

  • -
  • 公司全新原装正品,QQ153058080...

  • IRG4RC10KDTRPBF.
    IRG4RC10KDTRPBF.

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  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:林S

    电话:400-666-5385

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 30000

  • IR

  • TO-252

  • 21+

  • -
  • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税

  • IRG4RC10KDTRPBF
    IRG4RC10KDTRPBF

    IRG4RC10KDTRPBF

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • IR

  • DPAK

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!

  • IRG4RC10KDTRPBF
    IRG4RC10KDTRPBF

    IRG4RC10KDTRPBF

  • 深圳市正永电子有限公司
    深圳市正永电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-23930354

    地址:中航路都会轩3607

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • D-Pak

  • 19+

  • -
  • 代理直销!进口原装正品!

  • IRG4RC10KDTRPBF
    IRG4RC10KDTRPBF

    IRG4RC10KDTRPBF

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 2000

  • INFINEON

  • 主营优势

  • 19+

  • -
  • 100%原装正品★终端免费供样★

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  • 功能描述
  • IGBT 模块 600V 8.500A
  • RoHS
  • 制造商
  • Infineon Technologies
  • 产品
  • IGBT Silicon Modules
  • 配置
  • Dual
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 600 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 1.95 V
  • 在25 C的连续集电极电流
  • 230 A
  • 栅极—射极漏泄电流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 445 W
  • 最大工作温度
  • + 125 C
  • 封装 / 箱体
  • 34MM
  • 封装
IRG4RC10KDTRPBF 技术参数
  • IRFP460 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18.4A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):270 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):128nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2980pF @ 25V 功率 - 最大值:220W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 IRFP450 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2000pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 IRFP250 功能描述:MOSFET N-CH 200V 33A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):85 毫欧 @ 16A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):158nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2850pF @ 25V 功率 - 最大值:180W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 2.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRG4RC10SPBF IRG4RC10STR IRG4RC10STRL IRG4RC10STRRPBF IRG4RC10UD IRG4RC10UDPBF IRG4RC10UDTRLP IRG4RC10UDTRP IRG4RC10UDTRRP IRG4RC10UPBF IRG4RC10UTR IRG4RC10UTRL IRG4RC10UTRLPBF IRG4RC10UTRPBF IRG4RC10UTRR IRG4RC20F IRG4RC20FPBF IRG4RC20FTR
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