IS43DR32800A-37CBL-TR

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功能描述
动态随机存取存储器 256M (8Mx32) 266MHz Commercial Temp
RoHS
否
制造商
ISSI
数据总线宽度
16 bit
组织
1 M x 16
封装 / 箱体
SOJ-42
存储容量
16 MB
最大时钟频率
访问时间
50 ns
电源电压-最大
7 V
电源电压-最小
- 1 V
最大工作电流
90 mA
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tube

IS43DR32800A-37CBL-TR 技术参数

IS43DR16640C-3DBLI 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘零件状态:在售格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR2 SDRAM 存储容量:1G（64M x 16）速度:333MHz 接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TWBGA（8x12.5）标准包装:50 IS43DR16640C-3DBL 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘零件状态:在售格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR2 SDRAM 存储容量:1G（64M x 16）速度:333MHz 接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TWBGA（8x12.5）标准包装:100 IS43DR16640C-25DBLI 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘零件状态:在售格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR2 SDRAM 存储容量:1G（64M x 16）速度:400MHz 接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TWBGA（8x12.5）标准包装:50 IS43DR16640C-25DBL 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘零件状态:在售格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR2 SDRAM 存储容量:1G（64M x 16）速度:400MHz 接口:并联电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）封装/外壳:84-TFBGA 供应商器件封装:84-TWBGA（8x12.5）标准包装:100 IS43DR16640B-3DBL-TR 功能描述:动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v RoHS:否制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube IS43DR81280C-25DBL IS43DR81280C-25DBLI IS43DR81280C-25DBLI-TR IS43DR81280C-3DBL IS43DR81280C-3DBLI IS43DR81280C-3DBLI-TR IS43DR82560B-3DBLI IS43DR82560C-25DBL IS43DR82560C-25DBLI IS43DR82560C-25DBLI-TR IS43DR82560C-3DBL IS43DR82560C-3DBLI IS43DR82560C-3DBLI-TR IS43DR86400C-25DBL IS43DR86400C-25DBLI IS43DR86400C-25DBLI-TR IS43DR86400C-25DBL-TR IS43DR86400C-3DBI