IXDD614SI+T/R

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IXDD614SI+T/R 技术参数

IXDD614SI 功能描述:14A 8SOIC EXP MTL NON INV W/ENAB RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔封装/外壳:21-SIP 模块供应商设备封装:模块包装:散装配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 IXDD614PI 功能描述:MOSFET DVR ULT FAST 14A 8-DIP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端，独立输入类型:非反相延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF) IXDD614D2TR 功能描述:14A 5LEAD TO-263 NON INVERTING RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 IXDD614CI 功能描述:MOSFET N-CH 14A LO SIDE TO-220-5 RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端，独立输入类型:非反相延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF) IXDD609YI 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV TO263-5 RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 IXDE504SIA IXDE504SIAT/R IXDE509D1 IXDE509D1T/R IXDE509PI IXDE509SIA IXDE509SIAT/R IXDE514D1 IXDE514D1T/R IXDE514PI IXDE514SIA IXDE514SIAT/R IXDF402PI IXDF402SI IXDF402SIA IXDF404PI IXDF404SI IXDF404SI-16