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JAN1N6155AUS/TR

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  • 深圳市铭昌源科技有限公司
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JAN1N6155AUS/TR 技术参数
  • JAN1N6155AUS 功能描述:TVS DIODE 27.4VWM 49.9VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):27.4V 电压 - 击穿(最小值):34.2V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:49.9V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):30.1A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,C 供应商器件封装:C,SQ-MELF 标准包装:1 JAN1N6155A 功能描述:TVS DIODE 27.4VWM CPKG AXIAL 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):27.4V 电压 - 击穿(最小值):34.2V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:49.9V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):30.1A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:G,轴向 供应商器件封装:C,轴向 标准包装:1 JAN1N6155 功能描述:TVS DIODE 27.4VWM 52.4VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):27.4V 电压 - 击穿(最小值):32.49V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:52.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):28.6A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:C,轴向 标准包装:1 JAN1N6154US 功能描述:TVS DIODE 25.1VWM 47.99VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):25.1V 电压 - 击穿(最小值):29.83V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:47.99V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):31.16A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,C 供应商器件封装:C,SQ-MELF 标准包装:1 JAN1N6154AUS 功能描述:TVS DIODE 25.1VWM 45.7VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/516 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):25.1V 电压 - 击穿(最小值):31.4V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:45.7V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):32.8A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,C 供应商器件封装:C,SQ-MELF 标准包装:1 JAN1N6158 JAN1N6158A JAN1N6158AUS JAN1N6158US JAN1N6159 JAN1N6159A JAN1N6159AUS JAN1N6159US JAN1N6160 JAN1N6160A JAN1N6160AUS JAN1N6160US JAN1N6161 JAN1N6161A JAN1N6161AUS JAN1N6161US JAN1N6162 JAN1N6162A
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