JAN1N6501

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JAN1N6501 技术参数

JAN1N649-1 功能描述:Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/240 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N6490US 功能描述:Zener Diode 5.1V 1.5W ±5% Through Hole D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1 JAN1N6490 功能描述:Zener Diode 5.1V 1.5W ±5% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 JAN1N6485US 功能描述:Zener Diode 3.3V 1.5W ±5% Through Hole D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1 JAN1N6476US 功能描述:TVS DIODE 51.6VWM GSQMELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/552 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:51.6V 电压 - 击穿（最小值）:54V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:78.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:107A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，G 供应商器件封装:G-MELF（D-5C）标准包装:1 JAN1N6622U JAN1N6622US JAN1N6623 JAN1N6623U JAN1N6623US JAN1N6624 JAN1N6624U JAN1N6624US JAN1N6625 JAN1N6625U JAN1N6625US JAN1N6626 JAN1N6626U JAN1N6626US JAN1N6627 JAN1N6627U JAN1N6627US JAN1N6628