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JAN1N6626

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    JAN1N6626

    JAN1N6626

  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人:张小姐/Vivianvi

    电话:0755-83276452

    地址:坂田坂雪岗大道中兴路105号儒骏大厦5楼503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • E

  • 23+

  • -
  • 微芯专营优势产品

  • JAN1N6626U
    JAN1N6626U

    JAN1N6626U

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30

  • 69880

  • MICROSEMI/美高森美

  • SQ-MELF

  • 2021+

  • -
  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • JAN1N6626U
    JAN1N6626U

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  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质:营业执照

  • 10245

  • MICROSEMI/美高森美

  • SQ-MELF

  • 22+

  • -
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  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE UFAST REC 220V
JAN1N6626 技术参数
  • JAN1N6625US 功能描述:Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/585 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1100V(1.1kV) 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.75V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1100V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 10V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 JAN1N6625U 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/585 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.75V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:100 JAN1N6625 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/585 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.75V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:A,轴向 供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 JAN1N6624US 功能描述:Diode Standard 990V 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/585 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):990V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.55V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 990V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 10V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 JAN1N6624U 功能描述:Diode Standard 900V 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/585 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):900V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.55V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 900V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:100 JAN1N6629U JAN1N6629US JAN1N6630 JAN1N6630U JAN1N6630US JAN1N6631 JAN1N6631U JAN1N6631US JAN1N6638 JAN1N6638U JAN1N6638US JAN1N6639 JAN1N6639US JAN1N6640 JAN1N6640US JAN1N6641 JAN1N6641US JAN1N6642
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