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JAN1N746UR

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JAN1N746UR 技术参数
  • JAN1N746DUR-1 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JAN1N746D-1 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N746CUR-1 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JAN1N746C-1 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JAN1N746AUR-1 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/127 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA(玻璃) 供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JAN1N748D-1 JAN1N748DUR-1 JAN1N749AUR-1 JAN1N749C-1 JAN1N749CUR-1 JAN1N749D-1 JAN1N749DUR-1 JAN1N750A-1 JAN1N750AUR-1 JAN1N750C-1 JAN1N750CUR-1 JAN1N750D-1 JAN1N750DUR-1 JAN1N751A-1 JAN1N751AUR-1 JAN1N751C-1 JAN1N751CUR-1 JAN1N751D-1
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