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JANS1N6334US

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode Zener Single 27V 5% 500mW 2-Pin B-MELF
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Waffle Pack
JANS1N6334US 技术参数
  • JANS1N6329US 功能描述:Zener Diode 16V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/533 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):12 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 12V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 标准包装:1 JANS1N6328US 功能描述:Zener Diode 15V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/533 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 11V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 标准包装:1 JANS1N6328 功能描述:Zener Diode 15V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/533 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 11V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANS1N6326US 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 标准包装:1 JANS1N6324US 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):500 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 标准包装:1 JANS1N6638 JANS1N6640 JANS1N6640US/TR JANS1N6642 JANS1N6661 JANS1N6661US JANS1N6662US JANS1N6677UR-1 JANS1N6761UR-1 JANS1N938B-1 JANS1N938BUR-1 JANS1N941B-1 JANS1N943BUR-1 JANS2N2221AUBC JANS2N2222A JANS2N2222AUBC JANS2N2369AUB JANS2N2369AUBC
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