JANS1N6640US/T/R

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SIGNAL OR COMPUTER DIODE - Tape and Reel

JANS1N6640US/T/R 技术参数

JANS1N6640 功能描述:Diode Standard 50V 300mA Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/609 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JANS1N6638 功能描述:Diode Standard 125V 300mA Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/578 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:125V 电流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4.5ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 125V 不同?Vr，F 时的电容:2.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JANS1N6636US 功能描述:Zener Diode 4.7V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:E，轴向供应商器件封装:E，轴向标准包装:1 JANS1N6632US 功能描述:Zener Diode 3.3V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:E，轴向供应商器件封装:E，轴向标准包装:1 JANS1N6491US 功能描述:Zener Diode 5.6V 1.5W ±5% Through Hole D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1 JANS1N941B-1 JANS1N943BUR-1 JANS2N2221AUBC JANS2N2222A JANS2N2222AUBC JANS2N2369AUB JANS2N2369AUBC JANS2N2907A JANS2N2920 JANS2N3019 JANS2N3439 JANS2N3439U4 JANS2N3439UA JANS2N3440 JANS2N3440U4 JANS2N3440UA JANS2N3499L JANS2N3499L/TR