JANS1N6642US

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说明
操作

JANS1N6642US
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

JANS1N6642US
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
24829
MICROSEMI/美高森美
D-5B
21+
-
原厂原装现货

JANS1N6642US
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
5800
SEMTECH（美国）
.3A ULTRA FAST 100V
1711+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 75V 0.3A 2-Pin B-MELF
制造商
Aeroflex / Metelics
功能描述
1N4620DUR-1JANS - Bulk

JANS1N6642US 技术参数

JANS1N6642 功能描述:Diode Standard 75V 300mA Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/578 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:5ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JANS1N6640 功能描述:Diode Standard 50V 300mA Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/609 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JANS1N6638 功能描述:Diode Standard 125V 300mA Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/578 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:125V 电流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4.5ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 125V 不同?Vr，F 时的电容:2.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JANS1N6636US 功能描述:Zener Diode 4.7V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:E，轴向供应商器件封装:E，轴向标准包装:1 JANS1N6632US 功能描述:Zener Diode 3.3V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/356 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:300μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:E，轴向供应商器件封装:E，轴向标准包装:1 JANS2N2221AUBC JANS2N2222A JANS2N2222AUBC JANS2N2369AUB JANS2N2369AUBC JANS2N2907A JANS2N2920 JANS2N3019 JANS2N3439 JANS2N3439U4 JANS2N3439UA JANS2N3440 JANS2N3440U4 JANS2N3440UA JANS2N3499L JANS2N3499L/TR JANS2N3500 JANS2N3501