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JANTX1N6321C

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JANTX1N6321C
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83276452
地址：坂田坂雪岗大道中兴路105号儒骏大厦5楼503室
9900
Microchip Technology
DO-204AH
23+
-
微芯专营优势产品

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JANTX1N6321C 技术参数

JANTX1N6321 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANTX1N6320US 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 JANTX1N6320 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANTX1N6319US 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 3.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 JANTX1N6319CUS 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±2% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/533 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:3 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 3.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 JANTX1N6324 JANTX1N6324CUS JANTX1N6324DUS JANTX1N6324US JANTX1N6325 JANTX1N6325US JANTX1N6326 JANTX1N6326C JANTX1N6326DUS JANTX1N6327 JANTX1N6327CUS JANTX1N6327US JANTX1N6328 JANTX1N6328US JANTX1N6329C JANTX1N6329US JANTX1N6330 JANTX1N6330DUS