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JANTX1N6467A

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JANTX1N6467A 技术参数
  • JANTX1N6467 功能描述:TVS DIODE 40.3VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/551 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):40.3V 电压 - 击穿(最小值):43.7V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:63.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):45A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 JANTX1N6466US 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC EMELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/551 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):30.5V 电压 - 击穿(最小值):33V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:47.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):63A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:E-MELF 供应商器件封装:- 标准包装:1 JANTX1N6466 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/551 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):30.5V 电压 - 击穿(最小值):33V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:47.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):63A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 JANTX1N6465US 功能描述:TVS DIODE 24VWM 41.4VC EMELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/551 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):24V 电压 - 击穿(最小值):27V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:41.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):69A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:E-MELF 供应商器件封装:- 标准包装:1 JANTX1N6465 功能描述:TVS DIODE 24VWM 41.4VC BPKG AXL 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/551 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):24V 电压 - 击穿(最小值):27V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:41.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):69A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 JANTX1N6471US JANTX1N6472 JANTX1N6472US JANTX1N6473 JANTX1N6473US JANTX1N6474 JANTX1N6474US JANTX1N6474US.TR JANTX1N6474US/TR JANTX1N6475 JANTX1N6475US JANTX1N6476 JANTX1N6476US JANTX1N6485 JANTX1N6485US JANTX1N6487 JANTX1N6488C JANTX1N6488US
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