JANTX1N6493

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JANTX1N6493 技术参数

JANTX1N649-1 功能描述:Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/240 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:400mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 400mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JANTX1N6490US 功能描述:Zener Diode 5.1V 1.5W ±5% Through Hole D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1 JANTX1N6490 功能描述:Zener Diode 5.1V 1.5W ±5% Through Hole D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1 JANTX1N6489US 功能描述:Zener Diode 4.7V 1.5W ±5% Through Hole D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:4μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1 JANTX1N6488US 功能描述:Zener Diode 4.3V 1.5W ±5% Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1 JANTX1N6621U JANTX1N6621US JANTX1N6622 JANTX1N6622U JANTX1N6622US JANTX1N6623 JANTX1N6623U JANTX1N6623US JANTX1N6624 JANTX1N6624U JANTX1N6624US JANTX1N6625 JANTX1N6625US JANTX1N6626 JANTX1N6626U JANTX1N6626US JANTX1N6627 JANTX1N6627U