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JANTXV1N4370D

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JANTXV1N4370D 技术参数

JANTXV1N4370CUR-1 功能描述:Zener Diode 2.4V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/435 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JANTXV1N4370C-1 功能描述:Zener Diode 2.4V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/435 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANTXV1N4370AUR-1 功能描述:Zener Diode 2.4V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/435 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JANTXV1N4370-1 功能描述:Zener Diode 2.4V 500mW Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/127 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANTXV1N4249 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/286 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:5μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JANTXV1N4372AUR-1 JANTXV1N4372C-1 JANTXV1N4372CUR-1 JANTXV1N4372D-1 JANTXV1N4372DUR-1 JANTXV1N4454-1 JANTXV1N4454UR-1 JANTXV1N4460 JANTXV1N4460C JANTXV1N4460D JANTXV1N4460US JANTXV1N4461 JANTXV1N4461C JANTXV1N4461D JANTXV1N4461US JANTXV1N4462C JANTXV1N4462D JANTXV1N4462US