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JANTXV1N4461CUS

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JANTXV1N4461CUS 技术参数

JANTXV1N4461C 功能描述:Zener Diode 6.8V 1.5W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 4.08V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 JANTXV1N4461 功能描述:Zener Diode 6.8V 1.5W ±5% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 4.08V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 JANTXV1N4460US 功能描述:Zener Diode 6.2V 1.5W ±5% Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3.72V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 标准包装:1 JANTXV1N4460D 功能描述:Zener Diode 6.2V 1.5W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3.72V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 JANTXV1N4460C 功能描述:Zener Diode 6.2V 1.5W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/406 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3.72V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 JANTXV1N4464C JANTXV1N4464D JANTXV1N4464US JANTXV1N4465 JANTXV1N4465C JANTXV1N4465D JANTXV1N4465US JANTXV1N4466 JANTXV1N4466C JANTXV1N4466CUS JANTXV1N4466DUS JANTXV1N4466US JANTXV1N4467 JANTXV1N4467C JANTXV1N4467D JANTXV1N4467DUS JANTXV1N4467US JANTXV1N4468