JANTXV1N5544BURTR

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JANTXV1N5544BURTR 技术参数

JANTXV1N5544BUR-1 功能描述:Zener Diode 28V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:28V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 25.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JANTXV1N5544B-1 功能描述:Zener Diode 28V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:28V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 25.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35（DO-204AH）标准包装:1 JANTXV1N5543DUR-1 功能描述:Zener Diode 25V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:25V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 22.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JANTXV1N5543D-1 功能描述:Zener Diode 25V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:25V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 22.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35（DO-204AH）标准包装:1 JANTXV1N5543CUR-1 功能描述:Zener Diode 25V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/437 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:25V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 22.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JANTXV1N5546B-1 JANTXV1N5546BUR-1 JANTXV1N5546C-1 JANTXV1N5546CUR-1 JANTXV1N5546D-1 JANTXV1N5546DUR-1 JANTXV1N5550 JANTXV1N5550US JANTXV1N5551 JANTXV1N5551US JANTXV1N5552 JANTXV1N5552US JANTXV1N5553 JANTXV1N5554 JANTXV1N5554US JANTXV1N5555 JANTXV1N5556 JANTXV1N5558